Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
PradžiaProduktaiPramoniniai išmaniųjų modulių priedaiDDR3 UDIMM atminties modulio specifikacijos

DDR3 UDIMM atminties modulio specifikacijos

Mokėjimo tipas:
L/C,T/T,D/A
„Incoterm“:
FOB,EXW,CIF
Min. Įsakymas:
1 Piece/Pieces
Transportas:
Ocean,Air,Express,Land
  • Prekės aprašymas
Overview
Produkto atributai

Modelio Nr.NSO4GU3AB

Tiekimo galimybės ir papildoma informac...

TransportasOcean,Air,Express,Land

Mokėjimo tipasL/C,T/T,D/A

„Incoterm“FOB,EXW,CIF

Pakavimas > Pristatymas
Pardavimo vienetai:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240 PIN DDR3 UDIMM


Revizijos istorija

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Informacijos lentelės užsakymo lentelė

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


apibūdinimas
„HENGSTAR“ neperdirbtas DDR3 SDRAM DIMMS (nepanaudotas dvigubas duomenų perdavimo greičio sinchroninis DRAM dvigubas atminties modulius) yra mažos galios, greitos operacijos atminties moduliai, naudojantys DDR3 SDRAM įrenginius. NS04GU3AB yra 512 m x 64 bitų du rango 4 GB DDR3-1600 CL11 1,5 V SDRAM UNFUFLERD DIMM produktas, pagrįstas šešiolika 256 m x 8 bitų FBGA komponentų. SPD yra užprogramuotas pagal „JEDEC“ standartinį latentinį DDR3-1600 laiko nustatymą 11-11-11, esant 1,5 V. Kiekvienas 240 kontaktų Dimm naudoja aukso kontaktinius pirštus. „SDRAM“ neperdirbtas DIMM skirtas naudoti kaip pagrindinė atmintis, kai įdiegta tokiose sistemose kaip kompiuteriai ir darbo vietos.


funkcijos
Power Tiekimas: VDD = 1,5 V (nuo 1,425 V iki 1,575 V)
VDDQ = 1,5 V (nuo 1,425 V iki 1,575 V)
800MHz FCK 1600 MB/sek/PIN
8 Nepriklausomas vidinis bankas
programuojamas CAS latentinis: 11, 10, 9, 8, 7, 6
programuojamas priedų latentinis latentinis: 0, Cl - 2 arba Cl - 1 laikrodis
8 bitų išankstinis veiksmas
Burst ilgis: 8 (susipynimas be jokių ribų, nuosekliai su pradiniu adresu „000“), 4 su TCCD = 4, kuris neleidžia sklandžiai skaityti ar rašyti [arba skraidant naudojant A12, arba MRS]
bi krypčių diferencialo duomenų strobas
 vidinis (savęs) kalibravimas; Vidinis savęs kalibravimas per ZQ PIN (RZQ: 240 omų ± 1%)
on mirties nutraukimas naudojant ODT kaištį
 Sumažėjimo atnaujinimo laikotarpis 7.8US mažesnis nei TCase 85 ° C, 3,9us esant 85 ° C <TCase <95 ° C
Asinchroninis atstatymas
 Pakoreguojamas duomenų ir išvesties disko stiprumas
 Fly-by topologija
PCB: aukštis 1,18 ”(30 mm)
Rohs reikalavimus ir be halogeno


Pagrindiniai laiko parametrai

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Adreso lentelė

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


PIN aprašymai

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Pastabos Žemiau esanti PIN kodų aprašymo lentelė yra išsamus visų galimų kaiščių sąrašas visiems DDR3 moduliams. Visi išvardyti kaiščiai gali Nepalaikomas šiame modulyje. Žr. PIN kodų priskyrimus, skirtus šiam moduliui būdinga informacija.


Funkcinė bloko schema

4 GB, 512MX64 modulis (2Rank iš x8)

1


2


Pastaba:
1. Kiekvieno DDR3 komponento ZQ rutulys yra prijungtas prie išorinio 240Ω ± 1% rezistoriaus, susieto su žeme. Jis naudojamas komponento kalibravimui ant mirties nutraukimo ir išvesties tvarkyklės.



Modulio matmenys


Vaizdas iš priekio

3

Vaizdas iš priekio

4

Pastabos:
1. Visi matmenys yra milimetrais (coliais); Max/min arba tipiški (tipiški), kur pažymėta.
2.Tolerancija visoms dimensijoms ± 0,15 mm, jei nenurodyta kitaip.
3. Matmenų diagrama skirta tik nuorodai.

Produktų kategorijos : Pramoniniai išmaniųjų modulių priedai

Siųsti el. Paštu šiam tiekėjui
  • *Tema:
  • *Į:
    Mr. Jummary
  • *El. Paštas:
  • *Pranešimas:
    Jūsų žinutė turi būti nuo 20 iki 8000 simbolių
PradžiaProduktaiPramoniniai išmaniųjų modulių priedaiDDR3 UDIMM atminties modulio specifikacijos
Siųsti užklausą
*
*

Namai

Product

Phone

Apie mus

Tyrimas

Mes susisieksime su jumis betarpiškai

Užpildykite daugiau informacijos, kad galėtumėte greičiau susisiekti su jumis

Privatumo pareiškimas: mūsų privatumas mums yra labai svarbus. Mūsų įmonė žada neatskleisti jūsų asmeninės informacijos bet kuriai „Expany“, neturinčią jūsų aiškių leidimų.

Siųsti